IPD60R600E6ATMA1

Bilden är för referens, kontakta oss för att få den verkliga bilden

Tillverkarens del	IPD60R600E6ATMA1
Tillverkare	Rochester Electronics
Beskrivning	COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Kategori	diskreta halvledarprodukter
Familj	transistorer - fets, mosfets - singel
Livscykel:	New from this manufacturer.
Leverans:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Betalning	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datablad	IPD60R600E6ATMA1 PDF

Tillgänglighet

I lager	8 488
Enhetspris	$ 0.52000

IPD60R600E6ATMA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

IPD60R600E6ATMA1 Specifikationer

Typ	Beskrivning
serier:	CoolMOS™ E6
paket:	Bulk
delstatus:	Active
fet typ:	N-Channel
teknologi:	MOSFET (Metal Oxide)
dränera till källspänning (vdss):	600 V
ström - kontinuerlig dränering (id) @ 25°c:	7.3A (Tc)
drivspänning (max rds på, min rds på):	10V
rds på (max) @ id, vgs:	600mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 200µA
grindladdning (qg) (max) @ vgs:	20.5 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
ingångskapacitans (ciss) (max) @ vds:	440 pF @ 100 V
fet funktion:	-
effektförlust (max):	63W (Tc)
driftstemperatur:	-
monteringstyp:	Surface Mount
leverantörsenhetspaket:	TO-252
paket / fodral:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.