IPD110N12N3GATMA1

Bilden är för referens, kontakta oss för att få den verkliga bilden

Tillverkarens del	IPD110N12N3GATMA1
Tillverkare	IR (Infineon Technologies)
Beskrivning	MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
Kategori	diskreta halvledarprodukter
Familj	transistorer - fets, mosfets - singel
Livscykel:	New from this manufacturer.
Leverans:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Betalning	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datablad	IPD110N12N3GATMA1 PDF

Tillgänglighet

I lager	266 416
Enhetspris	$ 2.16000

IPD110N12N3GATMA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

IPD110N12N3GATMA1 Specifikationer

Typ	Beskrivning
serier:	OptiMOS™
paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
delstatus:	Active
fet typ:	N-Channel
teknologi:	MOSFET (Metal Oxide)
dränera till källspänning (vdss):	120 V
ström - kontinuerlig dränering (id) @ 25°c:	75A (Tc)
drivspänning (max rds på, min rds på):	10V
rds på (max) @ id, vgs:	11mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3V @ 83µA (Typ)
grindladdning (qg) (max) @ vgs:	65 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
ingångskapacitans (ciss) (max) @ vds:	4310 pF @ 60 V
fet funktion:	-
effektförlust (max):	136W (Tc)
driftstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
monteringstyp:	Surface Mount
leverantörsenhetspaket:	PG-TO252-3
paket / fodral:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.