SIHB10N40D-GE3

Bilden är för referens, kontakta oss för att få den verkliga bilden

Tillverkarens del	SIHB10N40D-GE3
Tillverkare	Vishay / Siliconix
Beskrivning	MOSFET N-CH 400V 10A TO263
Kategori	diskreta halvledarprodukter
Familj	transistorer - fets, mosfets - singel
Livscykel:	New from this manufacturer.
Leverans:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Betalning	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datablad	SIHB10N40D-GE3 PDF

Tillgänglighet

I lager	860
Enhetspris	$ 1.79000

SIHB10N40D-GE3 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

SIHB10N40D-GE3 Specifikationer

Typ	Beskrivning
serier:	-
paket:	Tube
delstatus:	Active
fet typ:	N-Channel
teknologi:	MOSFET (Metal Oxide)
dränera till källspänning (vdss):	400 V
ström - kontinuerlig dränering (id) @ 25°c:	10A (Tc)
drivspänning (max rds på, min rds på):	10V
rds på (max) @ id, vgs:	600mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5V @ 250µA
grindladdning (qg) (max) @ vgs:	30 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
ingångskapacitans (ciss) (max) @ vds:	526 pF @ 100 V
fet funktion:	-
effektförlust (max):	147W (Tc)
driftstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
monteringstyp:	Surface Mount
leverantörsenhetspaket:	TO-263 (D²Pak)
paket / fodral:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.