TK39J60W,S1VQ

Bilden är för referens, kontakta oss för att få den verkliga bilden

Tillverkarens del	TK39J60W,S1VQ
Tillverkare	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Beskrivning	MOSFET N-CH 600V 38.8A TO3P
Kategori	diskreta halvledarprodukter
Familj	transistorer - fets, mosfets - singel
Livscykel:	New from this manufacturer.
Leverans:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Betalning	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datablad	TK39J60W,S1VQ PDF

Tillgänglighet

I lager	266 449
Enhetspris	$ 10.21000

TK39J60W,S1VQ Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

TK39J60W,S1VQ Specifikationer

Typ	Beskrivning
serier:	DTMOSIV
paket:	Tube
delstatus:	Active
fet typ:	N-Channel
teknologi:	MOSFET (Metal Oxide)
dränera till källspänning (vdss):	600 V
ström - kontinuerlig dränering (id) @ 25°c:	38.8A (Ta)
drivspänning (max rds på, min rds på):	10V
rds på (max) @ id, vgs:	65mOhm @ 19.4A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.7V @ 1.9mA
grindladdning (qg) (max) @ vgs:	110 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
ingångskapacitans (ciss) (max) @ vds:	4100 pF @ 300 V
fet funktion:	Super Junction
effektförlust (max):	270W (Tc)
driftstemperatur:	150°C (TJ)
monteringstyp:	Through Hole
leverantörsenhetspaket:	TO-3P(N)
paket / fodral:	TO-3P-3, SC-65-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.