SPB20N60C3ATMA1

Bilden är för referens, kontakta oss för att få den verkliga bilden

Tillverkarens del	SPB20N60C3ATMA1
Tillverkare	IR (Infineon Technologies)
Beskrivning	MOSFET N-CH 650V 20.7A TO263-3
Kategori	diskreta halvledarprodukter
Familj	transistorer - fets, mosfets - singel
Livscykel:	New from this manufacturer.
Leverans:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Betalning	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datablad	SPB20N60C3ATMA1 PDF

Tillgänglighet

I lager	600
Enhetspris	$ 5.22000

SPB20N60C3ATMA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

SPB20N60C3ATMA1 Specifikationer

Typ	Beskrivning
serier:	CoolMOS™
paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
delstatus:	Active
fet typ:	N-Channel
teknologi:	MOSFET (Metal Oxide)
dränera till källspänning (vdss):	650 V
ström - kontinuerlig dränering (id) @ 25°c:	20.7A (Tc)
drivspänning (max rds på, min rds på):	10V
rds på (max) @ id, vgs:	190mOhm @ 13.1A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.9V @ 1mA
grindladdning (qg) (max) @ vgs:	114 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
ingångskapacitans (ciss) (max) @ vds:	2400 pF @ 25 V
fet funktion:	-
effektförlust (max):	208W (Tc)
driftstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
monteringstyp:	Surface Mount
leverantörsenhetspaket:	PG-TO263-3-2
paket / fodral:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.