SIR186LDP-T1-RE3

Bilden är för referens, kontakta oss för att få den verkliga bilden

Tillverkarens del	SIR186LDP-T1-RE3
Tillverkare	Vishay / Siliconix
Beskrivning	N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
Kategori	diskreta halvledarprodukter
Familj	transistorer - fets, mosfets - singel
Livscykel:	New from this manufacturer.
Leverans:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Betalning	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datablad	SIR186LDP-T1-RE3 PDF

Tillgänglighet

I lager	50
Enhetspris	$ 1.05000

SIR186LDP-T1-RE3 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

SIR186LDP-T1-RE3 Specifikationer

Typ	Beskrivning
serier:	TrenchFET® Gen IV
paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
delstatus:	Active
fet typ:	N-Channel
teknologi:	MOSFET (Metal Oxide)
dränera till källspänning (vdss):	60 V
ström - kontinuerlig dränering (id) @ 25°c:	23.8A (Ta), 80.3A (Tc)
drivspänning (max rds på, min rds på):	4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs:	4.4mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 250µA
grindladdning (qg) (max) @ vgs:	48 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
ingångskapacitans (ciss) (max) @ vds:	1980 pF @ 30 V
fet funktion:	-
effektförlust (max):	5W (Ta), 57W (Tc)
driftstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
monteringstyp:	Surface Mount
leverantörsenhetspaket:	PowerPAK® SO-8
paket / fodral:	PowerPAK® SO-8

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.