IPA80R1K4P7XKSA1

Bilden är för referens, kontakta oss för att få den verkliga bilden

Tillverkarens del	IPA80R1K4P7XKSA1
Tillverkare	IR (Infineon Technologies)
Beskrivning	MOSFET N-CH 800V 4A TO220-3F
Kategori	diskreta halvledarprodukter
Familj	transistorer - fets, mosfets - singel
Livscykel:	New from this manufacturer.
Leverans:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Betalning	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datablad	IPA80R1K4P7XKSA1 PDF

Tillgänglighet

I lager	4
Enhetspris	$ 1.37000

IPA80R1K4P7XKSA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

IPA80R1K4P7XKSA1 Specifikationer

Typ	Beskrivning
serier:	CoolMOS™
paket:	Tube
delstatus:	Active
fet typ:	N-Channel
teknologi:	MOSFET (Metal Oxide)
dränera till källspänning (vdss):	800 V
ström - kontinuerlig dränering (id) @ 25°c:	4A (Tc)
drivspänning (max rds på, min rds på):	10V
rds på (max) @ id, vgs:	1.4Ohm @ 1.4A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 700µA
grindladdning (qg) (max) @ vgs:	10 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
ingångskapacitans (ciss) (max) @ vds:	250 pF @ 500 V
fet funktion:	Super Junction
effektförlust (max):	24W (Tc)
driftstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
monteringstyp:	Through Hole
leverantörsenhetspaket:	TO-220-3F
paket / fodral:	TO-220-3 Full Pack

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.