G2R1000MT33J

Bilden är för referens, kontakta oss för att få den verkliga bilden

Tillverkarens del	G2R1000MT33J
Tillverkare	GeneSiC Semiconductor
Beskrivning	SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7
Kategori	diskreta halvledarprodukter
Familj	transistorer - fets, mosfets - singel
Livscykel:	New from this manufacturer.
Leverans:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Betalning	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datablad	G2R1000MT33J PDF

Tillgänglighet

I lager	1 130
Enhetspris	$ 16.58000

G2R1000MT33J Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

G2R1000MT33J Specifikationer

Typ	Beskrivning
serier:	G2R™
paket:	Tube
delstatus:	Active
fet typ:	N-Channel
teknologi:	SiCFET (Silicon Carbide)
dränera till källspänning (vdss):	3300 V
ström - kontinuerlig dränering (id) @ 25°c:	4A (Tc)
drivspänning (max rds på, min rds på):	20V
rds på (max) @ id, vgs:	1.2Ohm @ 2A, 20V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 2mA
grindladdning (qg) (max) @ vgs:	21 nC @ 20 V
vgs (max):	+20V, -5V
ingångskapacitans (ciss) (max) @ vds:	238 pF @ 1000 V
fet funktion:	-
effektförlust (max):	74W (Tc)
driftstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
monteringstyp:	Surface Mount
leverantörsenhetspaket:	TO-263-7
paket / fodral:	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.