SI1012X-T1-GE3

Bilden är för referens, kontakta oss för att få den verkliga bilden

Tillverkarens del	SI1012X-T1-GE3
Tillverkare	Vishay / Siliconix
Beskrivning	MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3
Kategori	diskreta halvledarprodukter
Familj	transistorer - fets, mosfets - singel
Livscykel:	New from this manufacturer.
Leverans:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Betalning	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datablad	SI1012X-T1-GE3 PDF

Tillgänglighet

I lager	2 568
Enhetspris	$ 0.54000

SI1012X-T1-GE3 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

SI1012X-T1-GE3 Specifikationer

Typ	Beskrivning
serier:	TrenchFET®
paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
delstatus:	Active
fet typ:	N-Channel
teknologi:	MOSFET (Metal Oxide)
dränera till källspänning (vdss):	20 V
ström - kontinuerlig dränering (id) @ 25°c:	500mA (Ta)
drivspänning (max rds på, min rds på):	1.8V, 4.5V
rds på (max) @ id, vgs:	700mOhm @ 600mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	900mV @ 250µA
grindladdning (qg) (max) @ vgs:	0.75 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±6V
ingångskapacitans (ciss) (max) @ vds:	-
fet funktion:	-
effektförlust (max):	250mW (Ta)
driftstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
monteringstyp:	Surface Mount
leverantörsenhetspaket:	SC-89-3
paket / fodral:	SC-89, SOT-490

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.