SCT3120ALGC11

Bilden är för referens, kontakta oss för att få den verkliga bilden

Tillverkarens del	SCT3120ALGC11
Tillverkare	ROHM Semiconductor
Beskrivning	SICFET N-CH 650V 21A TO247N
Kategori	diskreta halvledarprodukter
Familj	transistorer - fets, mosfets - singel
Livscykel:	New from this manufacturer.
Leverans:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Betalning	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datablad	SCT3120ALGC11 PDF

Tillgänglighet

I lager	469 608
Enhetspris	$ 7.98000

SCT3120ALGC11 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

SCT3120ALGC11 Specifikationer

Typ	Beskrivning
serier:	-
paket:	Tube
delstatus:	Active
fet typ:	N-Channel
teknologi:	SiCFET (Silicon Carbide)
dränera till källspänning (vdss):	650 V
ström - kontinuerlig dränering (id) @ 25°c:	21A (Tc)
drivspänning (max rds på, min rds på):	18V
rds på (max) @ id, vgs:	156mOhm @ 6.7A, 18V
vgs(th) (max) @ id:	5.6V @ 3.33mA
grindladdning (qg) (max) @ vgs:	38 nC @ 18 V
vgs (max):	+22V, -4V
ingångskapacitans (ciss) (max) @ vds:	460 pF @ 500 V
fet funktion:	-
effektförlust (max):	103W (Tc)
driftstemperatur:	175°C (TJ)
monteringstyp:	Through Hole
leverantörsenhetspaket:	TO-247N
paket / fodral:	TO-247-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.